第383章 目瞪口呆的嘉宾们！
现场爆发了一阵热议与轰动之声，人们纷纷被指甲盖大小的芯片竟然有上万米导线长度的话语震惊了。
对此，林轩再次缓缓抬手，做出一个噤声的动作。
看到林轩动作的人们也纷纷闭上了嘴巴，于是林轩缓缓开口说道：
“想必大家也学过电阻的概念，知道其中一个导线越长电阻就会越大的结论。
虽然这些导线实际上不是连在一起，而是分成一段段，但这并不妨碍他实际上相当于一根长导线的事实。
以前你们如果好奇为什么小小一颗芯片，它的功率能达到65瓦、90瓦乃至120w的超大功率。
那你们现在可以将好奇降低一半了，因为你们只要想一想小小一个指甲盖大小的芯片中，竟然有着相当于上万米长的金属导线。
那就知道这东西的电阻有多么的大，知道芯片那么多热量大部分来自哪里。”
听到林轩的话语，现场的人们纷纷点头。
此时他们已经理解了芯片里的绝大部分热量来自哪里了。
答桉毫无疑问。
芯片的热量来源除了晶体管运行时散发的热量外，金属导线绝对也是个贡献热量的大户！
毕竟根据他们的认知，当电流通过导体时就会发热，此时只要想一想小小指甲盖大小的芯片之中竟有着上万米的长度导线。
那就知道这相当于上万米长度的导线散发的热量绝不容忽视！
“我们之前研发出过钴互联技术，这钴互联技术不是单纯的高纯钴，而是一种特殊的钴合金。
这种钴合金相对于单晶铜来说有着更好的导热性以及更低的电阻。
所以我们能用钴互联技术造出更多核的芯片，最终能塞下更多的晶体管打败更先进的制成工艺。
但现在我们的可以将钴互联技术以及铜互联技术扫入历史堆了，因为我们研发出了碳金属线互连技术！”
听到林轩的话语，现场的人们纷纷好奇地看着林轩。
他们刚刚已经知道了这个名叫碳金属的导线电导率是仅次于超导体的导线，但不知实际效果是如何呢？
虽然刚刚林轩说出了一堆专业术语，说出了碳金属线本质载子迁移率与最高载流量等等参数。
但人们对于这些专业术语根本听不懂啊。
人们更想知道在不改变制程工艺的情况下，如使用碳金属线来连接芯片的晶体管。
那最终能相比以前能塞下多少个核，能塞下有多少个晶体管！
对此，林轩也是没有故意卡脖子，而是看着人们迷茫的眼神，他直接跳过了许多环节，来到了芯片的简介图片。
产品名称：汉风四代芯片
制成工艺，45纳米制成工艺。
制程技术：碳金属线互联3d芯片堆叠技术（5层）……
核心数量：8核
架构：第二代汉风智能架构
晶体管数量：35亿！
汉唐安兔兔cpu跑分120159分， gpu跑分160673分。
“这……”
看着大投影屏幕中展示出来汉风三代芯片的参数数据，现场陷入了沉默。
“我这是看错了吗？确定看到的跑分没有错吗？12万分，超越了平果手机4.2万分，超越了三兴s1手机2.5万分？”
“是啊，上面应该是写错了，上面的晶体管数量也应该写错了。
竟然写了35亿，这有些夸张了，肯定是写错了，应该是写15亿。”
“没错，汉唐科技采用的是45纳米制成工艺，想要在小小一个指甲盖大小的芯片中塞下35亿个晶体管，这怎么可能做得到！”
“没错，我们肯定是看错了，不，应该不是我们看错了，而是做这个ppt的人写错了！”……
现场爆发出了一阵阵热议之声，人们都认为他们看错了或者认为出现这一幕，完全是汉唐科技负责弄ppt的人在恶搞。
然而接下来林轩说出了一句话，成功地打断了他们的幻想，让他们回归到了现实之中：
“如同大家所见，我们碳金属线相比钴金属线，有着超高的本质载子迁移率与最高载流量。
所以同等情况下，我们的碳金属线发热量更少，电导率与导热能力更强，所以我们能塞下更多的晶体管，而不用担忧发热问题。
最终结果也如同大家所见，在仍采用45纳米制程工艺的情况下。
小小一个指甲盖芯片中，我们使用5层的3d芯片堆叠技术，足足塞下了35亿个晶体管！”
“啪嗒！”
前排的观众席中，乔布思手中握着的一次性纸杯砰然掉在了他身前的桌子上。
水花飞溅，只是刹那就溅湿了乔布思的衣服。
但此时的乔布思却犹不自觉，只是呆呆地看着林轩，他的眼中写满了不敢置信！
“这不可能！”
乔布思的身旁，库客惊呼一声，此时也是目瞪口呆地看着上面的参数，眼中满是不敢置信。
库客的身旁，此时一个满脸尊容的男人看着上面的林轩，他目光满是复杂。
“3d芯片堆叠技术，碳金属线互连技术……我三兴当初到底做了什么愚蠢的事情啊！”
三兴电子的李老板此时一脸痛苦，他十分后悔他当初断供汉风一代芯片的行为。
因为如果他当初不断供汉风一代芯片，而是仍然为汉唐科技代工手机芯片，那现在就不会走到这一步！
不会放出汉唐科技这条勐龙让他进入到了芯片生产领域，最终造成眼前的苦果！
此时的李老板很后悔，后悔当初他为什么要听从华耳街那边的命令，而不是强硬地顶回去。
如果当初他没有那样做，那汉唐科技也许不会进入芯片生产领域，三兴也不会与汉唐科技竞争。
也不会如同现在一般，推出了恐怖的3d芯片堆叠技术与碳金属线互联技术，成功用45纳米打败14纳米…
而且这还不是汉唐科技的极限，里面全藏着更可怕的消息是使用了3d芯片堆叠技术与碳金属线互联工艺就能打败14纳米。
那未来汉唐科技的制程工艺如果提升到32纳米或者28纳米呢？到时他们这些14纳米该如何自处？
提升10纳米乃至7纳米？做不到啊！
14纳米已经是把西方老底儿给掏空，想要进军10纳米十分的困难！
而且最恐怖的是汉唐科技的手机芯片只是叠加了5层结构，如果再加多一层乃至两层，那相当于塞下多少晶体管？！
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